Domande a risposta sintetica

Elettronica e laboratorio

Classe 4^a Istituto tecnico industriale per elettronica e telecomunicazioni, Elettrotecnica e applicazioni, Informatica industriale

Tipologia C - Quesiti a risposta multipla di cui una sola è vera.

1) - In un transistor bipolare a giunzione BJT del tipo NPN:

la base è drogata di tipo P in modo molto più basso rispetto al drogaggio dell'emettitore.
la base è drogata di tipo P in modo molto più elevato rispetto al drogaggio dell'emettitore.
la base è drogata di tipo N in modo molto più elevato rispetto al drogaggio dell'emettitore.
la base è drogata di tipo N in modo molto più basso rispetto al drogaggio dell'emettitore.

Punteggio ottenuto:

2) - In un circuito di polarizzazione del BJT:

la tensione V_E ai capi del resistore R_E è sempre più grande della tensione ai capi di R_C.
la tensione V_E ai capi del resistore R_E è circa il 50 % della tensione di alimentazione V_CC.
la tensione V_E ai capi del resistore R_Eè uguale alla tensione di alimentazione V_CC.
la tensione V_E ai capi del resistore R_E è circa il 10 % della tensione di alimentazione V_CC.

Punteggio ottenuto:

3) - Considerando le caratteristiche di uscita di un transistor BJT, possiamo dire che:

la zona di saturazione è quella in cui il transistor si comporta da circuito aperto.
la zona di interdizione è quella in cui il transistor si comporta da circuito chiuso.
la zona attiva è quella centrale delle caratteristiche, dove il BJT ha un comportamento lineare.
la zona attiva è quella centrale delle caratteristiche, dove il BJT ha un comportamento non lineare.

Punteggio ottenuto:

4) - Un amplificatore in classe A :

fornisce in uscita una tensione che ha la stessa forma d'onda di quella di ingresso.
fornisce in uscita una tensione pari a metà periodo del segnale di ingresso.
ha un rendimento inferiore al 50% e distorsione molto elevata.
ha una distorsione molto elevata ed un rendimento che si avvicina al 100%